ADAS迈入多传感器融合时代,安世中国以四大功能底座覆盖感知全节点

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2026/10/9 10:35:14  来源:转载  作者:   (评论 条)浏览: 次

[提要] ADAS迈入多传感器融合时代,安世中国以四大功能底座覆盖感知全节点

高级驾驶辅助系统正从高端车卖点快速变为新车标配。工信部数据显示,2026年上半年我国L2级组合驾驶辅助乘用车新车渗透率已达70.5%。随着辅助驾驶从L2向L3演进,单车摄像头、雷达数量持续增加,域控制器处理的数据量显著攀升,带动电源防护、供电转换、信号逻辑与接口保护等车规器件需求同步增长。面对这一趋势,安世中国以覆盖四大基础功能、跨感知与决策全节点的车规器件矩阵,为工程师提供一站式选型方案。

系统架构:三层ADAS,安世中国定位“隐形底座”

一套典型ADAS系统分为三层:感知层(前视/环视摄像头、毫米波雷达、激光雷达、IMU)、融合决策层(ADAS域控制器,含电源保护、信号调理、安全MCU、主SoC)、车载网络(车载以太网、CAN FD、GMSL2、LIN)。安世中国不做传感器与主SoC,而是提供电源入口防护、供电管理与转换、信号与逻辑、通信接口保护四类不随形态改变的基础功能。一台高阶ADAS域控制器约需16—32颗车规MOSFET,分布于五大电源位置:域控电源入口2—4颗、激光雷达电源板2—4颗、板载Buck DC/DC 4—8颗、Buck-boost升降压2—4颗、传感器外围6—12颗。

电源入口防护:高侧理想二极管替代肖特基

ADAS传感器与域控直接连接12V电源,需应对电池反接、负载突降(Load Dump)、ISO 7637瞬态脉冲与热插拔;车外雷达、激光雷达还需承受振动与温度变化。安世中国的BG Power提供高侧N/P-MOS理想二极管方案,共4款AEC-Q101车规MOS:BUK6Q12-40P(40V P沟道、12mΩ、MLPAK33,高侧反接首选)、BUK7J1R0-40H(40V、1.0mΩ、LFPAK56E,大电流入口)、BUK7Y4R8-60E(60V、4.8mΩ、LFPAK56,高压裕量)、BUK9Y3R5-40E(40V、3.8mΩ、逻辑电平驱动)。该方案替代肖特基二极管,导通压降由0.5V以上降至毫伏级,同样10A电流下发热由约5W降至0.5W以内。安世中国的BG BIP另提供PMEG肖特基(PMEG4005EP-Q,反接保护、低压降)与功率TVS(PESD24VS2UT-Q,抑制Load Dump与瞬态浪涌,保护后级PMIC、主SoC与安全MCU)。

供电管理与转换:两大拓扑覆盖每一条电源轨

传感器前端与域控需要稳定高效的DC/DC转换(12V转3.3V/5V及更低),同时兼顾热与PCB空间。安世中国的BG Power提供9款Buck/Buck-boost功率开关:BUK9Y1R9-40H(1.9mΩ)、BUK9Y2R8-40H(2.8mΩ)、BUK9Y6R5-40H(6.5mΩ)、BUK9Q4R6-40H(4.6mΩ)、BUK9Q7R0-40H(7.0mΩ)、BUK9Q11-60A(60V、11mΩ)、BUKNS3R5-40MYX8(3.5mΩ)、BUKNS2R0-40MYX8(2.0mΩ)等,低Rds(on)、低栅电荷Qg,可提升转换效率、降低发热并优化EMI。

安世中国的BG ICS提供:NEX90xxx-Q100超低静态电流一级LDO,覆盖MCU/CAN/Ethernet PHY等150—300mA常电负载,提供SOT23-5、SOT223-4、HTSSOP8等多封装及PG版本;NEX92X30-Q100带诊断双路天线LDO,面向域控多路摄像头PoC供电,高PSRR改善纹波与信噪比,丰富诊断支持ASIL设计,集成背靠背MOSFET应对输出短路到地/到电池;NEX91x ±5mV跟踪LDO用于激光雷达远端供电;NGD31251-Q100 GaN驱动(耐负压至-10V、DFN2x2)与NEX8401X-Q100 Boost PWM控制器(12V高效升至70—80V激光脉冲母线)。安世中国的BG BIP肖特基PMEG10020AELR-Q用于Buck续流与多电源轨OR-ing防倒灌。

信号与逻辑:打通多电压域与安全逻辑

传感器、AFE与处理器常工作在1.8V/3.3V/5V不同电压域,且ADC通道紧张,需要复位、使能、Power Good、故障互锁等安全逻辑。安世中国的BG ICS提供:电平转换NCA9306-Q100(I2C)、74AVC2T245-Q100(SPI/UART)、74AVC4T245-Q100(GPIO/RESET);模拟开关NMUX1308-Q100(ADC采样复用,减少MCU接口占用)、74LVC1G125-Q100(三态断开);基本逻辑74LVC1G08-Q100(使能/Power Good)、74HCS21-Q100(施密特与门,强抗干扰)。安世中国的BG BIP提供BAS16-Q信号钳位/单向隔离、BZX84C3V3-Q电压基准/过压检测,以及PDT数字晶体管(PDTB113EQA)与BC系列三极管,用于电源时序使能、ASIL硬件故障切断、故障上报与LED告警。全部逻辑器件通过AEC-Q100认证。

通信接口保护:超低电容ESD守护高速链路

ADAS数据量大,高分辨率图像经GMSL/FPD-Link传输,雷达与域控之间大量采用车载以太网,接口ESD保护不能明显影响信号完整性。安世中国的BG BIP提供:CAN FD总线PESD2CANFD24LT-Q(差分总线ESD/EFT保护);车载以太网/GMSL2高速差分链路采用TrEOS超低电容ESD PESD5V0X1BCAL-Q,电容低于0.3pF、低漏电流,不破坏信号完整性并带来更好图像品质;LIN及其他低速接口采用PESD/TVS/齐纳/肖特基。覆盖摄像头(GMSL)、雷达(以太网)、激光雷达(以太网/CAN/LIN)、域控(全总线)四类节点。

模块差异:摄像头、雷达、激光雷达各有侧重

摄像头强调PoC同轴远端供电(NEX92X30)与GMSL高速视频链路(TrEOS),模块空间有限、重小型化;毫米波雷达侧重Front-End DC/DC与车载以太网;激光雷达面对高频脉冲负载,需NEX91x跟踪LDO、NGD31251 GaN驱动与NEX8401X升压,且可能车外安装、承受振动温变;ADCU域控除通用方案外,BIP器件额外覆盖电源时序、ASIL硬件切断、I2C/GPIO诊断钳位与多电源轨OR-ing,并对四类总线全保护。

L2向L3:用量与规格双重升级

从L2到L3,规定条件下驾驶责任由驾驶员转向系统,对故障应对、冗余与功能安全要求显著提高。一方面单车感知节点与通道数增加(高阶辅助驾驶摄像头可达十余颗加多颗雷达),器件用量上升;另一方面规格升级,体现为更丰富的诊断(NEX92X30支持ASIL)、独立于主控的硬件故障切断(PDT数字晶体管)以及受控/冗余电源路径。

从电源入口到通信接口,从摄像头、雷达、激光雷达到域控制器,安世中国提供的不只是单颗器件,而是一整套经过车规验证、可量产、可平台化复用的“隐形底座”方案,帮助工程师以更短设计周期、更低风险推进ADAS项目。

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